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|
| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PCS |
| 価格: | 交渉可能 |
| 配達時間: | 5-8幾日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
ベビーマークキングサイズ完全雪崩定格クレテックMK8タバコ機械部品
トランジスタは、電子信号と電力を増幅または切り替えるために使用される半導体デバイスです。トランジスタは、現代の電子機器の基本的な構成要素の1つです。これは、通常、外部回路に接続するための少なくとも3つの端子を備えた半導体材料で構成されています。
IRFZ44NS / LPbF
| パラメータ | 最小 | |
| V（BR）DSS | ドレインからソースへの絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V（BR）DSS仏Tj | 絶縁破壊電圧温度係数 | — |
| RDS（オン） | 静的ドレインからソースへの抵抗 | — |
| VGS（th） | ゲートしきい値電圧 | 2.0 |
| gts | フォワード相互コンダクタンス | 19 |
| bss | ドレインからソースへの漏れ電流 | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートからソースへの前方リーク | — |
| ゲートからソースへの逆リーク | — | |
| Qg | 総ゲートチャージ | — |
| Qgs | ゲートからソースへの電荷 | — |
| Qgd | ゲートツードレイン（「ミラー」）チャージ | — |
| td（on） | ターンオン遅延時間 | — |
| tr | 立ち上がり時間 | — |
| td（off） | ターンオフ遅延時間 | — |
| tf | 秋の時間 | — |
| Ls | 内部ソースインダクタンス | — |
| Cjss | 入力容量 | — |
| コス | 出力容量 | — |
| Crss | 逆伝達容量 | — |
| Eas | シングルパルスアバランチエナジー® | — |
利点
トランジスタの低コスト、柔軟性、および信頼性により、トランジスタはユビキタスデバイスになっています。トランジスタ化されたメカトロニクス回路は、電化製品や機械の制御において電気機械装置に取って代わりました。多くの場合、同じ機能を制御する同等の機械システムを設計するよりも、標準のマイクロコントローラーを使用して制御機能を実行するコンピュータープログラムを作成する方が簡単で安価です。
シリコントランジスタ
最初に機能するシリコントランジスタは、1954年1月26日にベル研究所でモリスタネンバウムによって開発されました。最初の商用シリコントランジスタは1954年にTexasInstrumentsによって製造されました。これは、以前ベル研究所で働いていた高純度の結晶の成長の専門家であるゴードンティールの仕事でした。
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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PCS |
| 価格: | 交渉可能 |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
ベビーマークキングサイズ完全雪崩定格クレテックMK8タバコ機械部品
トランジスタは、電子信号と電力を増幅または切り替えるために使用される半導体デバイスです。トランジスタは、現代の電子機器の基本的な構成要素の1つです。これは、通常、外部回路に接続するための少なくとも3つの端子を備えた半導体材料で構成されています。
IRFZ44NS / LPbF
| パラメータ | 最小 | |
| V（BR）DSS | ドレインからソースへの絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V（BR）DSS仏Tj | 絶縁破壊電圧温度係数 | — |
| RDS（オン） | 静的ドレインからソースへの抵抗 | — |
| VGS（th） | ゲートしきい値電圧 | 2.0 |
| gts | フォワード相互コンダクタンス | 19 |
| bss | ドレインからソースへの漏れ電流 | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートからソースへの前方リーク | — |
| ゲートからソースへの逆リーク | — | |
| Qg | 総ゲートチャージ | — |
| Qgs | ゲートからソースへの電荷 | — |
| Qgd | ゲートツードレイン（「ミラー」）チャージ | — |
| td（on） | ターンオン遅延時間 | — |
| tr | 立ち上がり時間 | — |
| td（off） | ターンオフ遅延時間 | — |
| tf | 秋の時間 | — |
| Ls | 内部ソースインダクタンス | — |
| Cjss | 入力容量 | — |
| コス | 出力容量 | — |
| Crss | 逆伝達容量 | — |
| Eas | シングルパルスアバランチエナジー® | — |
利点
トランジスタの低コスト、柔軟性、および信頼性により、トランジスタはユビキタスデバイスになっています。トランジスタ化されたメカトロニクス回路は、電化製品や機械の制御において電気機械装置に取って代わりました。多くの場合、同じ機能を制御する同等の機械システムを設計するよりも、標準のマイクロコントローラーを使用して制御機能を実行するコンピュータープログラムを作成する方が簡単で安価です。
シリコントランジスタ
最初に機能するシリコントランジスタは、1954年1月26日にベル研究所でモリスタネンバウムによって開発されました。最初の商用シリコントランジスタは1954年にTexasInstrumentsによって製造されました。これは、以前ベル研究所で働いていた高純度の結晶の成長の専門家であるゴードンティールの仕事でした。
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