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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PCS |
| 価格: | 交渉可能 |
| 配達時間: | 5-8幾日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
電気D2PAK Mosfet Irfz44ns Passimのタバコ機械予備品
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
電圧低下
イメージは回路の典型的な両極トランジスターを表す。充満は基盤で流れによってエミッターとコレクター ターミナルの間で流れる。内部的に基盤およびエミッターの関係が半導体ダイオードのようにするので、電圧低下は基盤とエミッターの間で基礎流れがある間、成長する。この電圧の量はトランジスターがからなされる決まり、VBEと言われる材料によって。
MOSFET
金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター（MOSFET）、別名MOSのトランジスターはモハメドAtallaおよび1959年にDawon Kahngによって、発明された。MOSFETは使用の広い範囲のために小型化され、大量生産できる最初の偽りなく密集したトランジスターだった。高いスケーラビリティおよび大いに低い電力の消費および高密度によりバイポーラ トランジスタによって、MOSFETは単一ICで高密度集積回路をし、10,000以上のトランジスターの統合を許可する造ることを可能に。
高周波トランジスター
最初の高周波トランジスターは1953年にPhilcoによって発達した表面障壁のゲルマニウムのトランジスター60までのMHzを作動させることができるだった。これらはインジウムのジェット機が付いている両側からnタイプのゲルマニウムの基盤に不況のエッチングによってそれが厚のインチの少数のten-thousandthsだったまでなされた（III）硫酸塩。インジウムは不況に形作ったコレクターおよびエミッターを電気めっきした。
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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PCS |
| 価格: | 交渉可能 |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
電気D2PAK Mosfet Irfz44ns Passimのタバコ機械予備品
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
電圧低下
イメージは回路の典型的な両極トランジスターを表す。充満は基盤で流れによってエミッターとコレクター ターミナルの間で流れる。内部的に基盤およびエミッターの関係が半導体ダイオードのようにするので、電圧低下は基盤とエミッターの間で基礎流れがある間、成長する。この電圧の量はトランジスターがからなされる決まり、VBEと言われる材料によって。
MOSFET
金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター（MOSFET）、別名MOSのトランジスターはモハメドAtallaおよび1959年にDawon Kahngによって、発明された。MOSFETは使用の広い範囲のために小型化され、大量生産できる最初の偽りなく密集したトランジスターだった。高いスケーラビリティおよび大いに低い電力の消費および高密度によりバイポーラ トランジスタによって、MOSFETは単一ICで高密度集積回路をし、10,000以上のトランジスターの統合を許可する造ることを可能に。
高周波トランジスター
最初の高周波トランジスターは1953年にPhilcoによって発達した表面障壁のゲルマニウムのトランジスター60までのMHzを作動させることができるだった。これらはインジウムのジェット機が付いている両側からnタイプのゲルマニウムの基盤に不況のエッチングによってそれが厚のインチの少数のten-thousandthsだったまでなされた（III）硫酸塩。インジウムは不況に形作ったコレクターおよびエミッターを電気めっきした。
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