|
|
| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| 配達時間: | 5-8日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
控えめなIrfz44nsのケイ素のトランジスター タバコのパッキング機械部品
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
材料
ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。
バイポーラ トランジスタ
最初のバイポーラ トランジスタは1948年6月26日適用した鐘の実験室のウィリアム・ショックレーによってにパテント（2,569,347）に発明された。1950年4月12日、鐘の実験室の化学者のゴードンの小ガモおよびモーガンの火花に首尾よく働く両極NPNの接続点の増幅のゲルマニウムのトランジスターを作り出した。
大量生産
50年代では、モハメドAtalla電気が次行なうケイ素に確実に突き通ることができるのはエジプト エンジニアは彼が半導体デバイスの製作の新しい方法を提案した塗る鐘の実験室でケイ素の半導体の表面の特性を調査した、電気は半導体層に達することを防いだ表面州を克服するケイ素酸化物の絶縁層によってシリコンの薄片に。これは表面不動態化、ケイ素の集積回路のそれとして半導体工業に重大に後で可能にした大量生産をなった方法として知られている。
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
|
| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
控えめなIrfz44nsのケイ素のトランジスター タバコのパッキング機械部品
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
材料
ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。
バイポーラ トランジスタ
最初のバイポーラ トランジスタは1948年6月26日適用した鐘の実験室のウィリアム・ショックレーによってにパテント（2,569,347）に発明された。1950年4月12日、鐘の実験室の化学者のゴードンの小ガモおよびモーガンの火花に首尾よく働く両極NPNの接続点の増幅のゲルマニウムのトランジスターを作り出した。
大量生産
50年代では、モハメドAtalla電気が次行なうケイ素に確実に突き通ることができるのはエジプト エンジニアは彼が半導体デバイスの製作の新しい方法を提案した塗る鐘の実験室でケイ素の半導体の表面の特性を調査した、電気は半導体層に達することを防いだ表面州を克服するケイ素酸化物の絶縁層によってシリコンの薄片に。これは表面不動態化、ケイ素の集積回路のそれとして半導体工業に重大に後で可能にした大量生産をなった方法として知られている。
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
ビデオ
