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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| 配達時間: | 5-8日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
穴版Mosfet Irfz44ns HLPのタバコ機械部品を通して
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
高周波トランジスター
最初の高周波トランジスターは1953年にPhilcoによって発達した表面障壁のゲルマニウムのトランジスター60までのMHzを作動させることができるだった。これらはインジウムのジェット機が付いている両側からnタイプのゲルマニウムの基盤に不況のエッチングによってそれが厚のインチの少数のten-thousandthsだったまでなされた（III）硫酸塩。インジウムは不況に形作ったコレクターおよびエミッターを電気めっきした。
示すこと
言葉のトランジスターは言葉のtransresistanceの収縮としてジョンR.ピアースによって鋳造された。リリアンHoddesonおよびVicki Daitchに従って、ジョン・バーディーン、Shockleyの伝記の著者はトランジスターのための鐘の実験室の最初パテントがfield-effectに基づいているべきであること、そして彼が発明家として名前を挙げられることを提案した。
IRFZ44NS/LPbF
| 変数 | Min. | |
| V （BR） DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V （BR） DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
| RDS （） | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
| gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
| bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
| ゲートに源の逆の漏出 | — | |
| Qg | 総ゲート充満 | — |
| Qgs | ゲートに源充満 | — |
| Qgd | ゲートに下水管（「ミラー」）充満 | — |
| td （） | Turn-On遅れ時間 | — |
| tr | 上昇時間 | — |
| td （） | Turn-Off遅れ時間 | — |
| tf | 落下時間 | — |
| Ls | 内部源インダクタンス | — |
| Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
| Coss | 出力キャパシタンス | — |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
| Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |
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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
穴版Mosfet Irfz44ns HLPのタバコ機械部品を通して
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
高周波トランジスター
最初の高周波トランジスターは1953年にPhilcoによって発達した表面障壁のゲルマニウムのトランジスター60までのMHzを作動させることができるだった。これらはインジウムのジェット機が付いている両側からnタイプのゲルマニウムの基盤に不況のエッチングによってそれが厚のインチの少数のten-thousandthsだったまでなされた（III）硫酸塩。インジウムは不況に形作ったコレクターおよびエミッターを電気めっきした。
示すこと
言葉のトランジスターは言葉のtransresistanceの収縮としてジョンR.ピアースによって鋳造された。リリアンHoddesonおよびVicki Daitchに従って、ジョン・バーディーン、Shockleyの伝記の著者はトランジスターのための鐘の実験室の最初パテントがfield-effectに基づいているべきであること、そして彼が発明家として名前を挙げられることを提案した。
IRFZ44NS/LPbF
| 変数 | Min. | |
| V （BR） DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V （BR） DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
| RDS （） | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
| gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
| bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
| ゲートに源の逆の漏出 | — | |
| Qg | 総ゲート充満 | — |
| Qgs | ゲートに源充満 | — |
| Qgd | ゲートに下水管（「ミラー」）充満 | — |
| td （） | Turn-On遅れ時間 | — |
| tr | 上昇時間 | — |
| td （） | Turn-Off遅れ時間 | — |
| tf | 落下時間 | — |
| Ls | 内部源インダクタンス | — |
| Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
| Coss | 出力キャパシタンス | — |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
| Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |
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