Sasib 3000のナノIrfz44nsのケイ素のトランジスター タバコのパッキング機械部品

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トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。

ポケット トランジスタ ラジオ

最初の「プロトタイプ」ポケット トランジスタ ラジオは1953年8月29日と1953年9月6日間のインターナショナルFunkausstellungデュッセルドルフ行政管区のINTERMETALL （1952年にハーバートMataréが創設する会社）によって示されていた。最初の「生産」のポケット トランジスタ ラジオは1954年10月に解放された執権期間TR-1だった。

MOSFET

金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター（MOSFET）、別名MOSのトランジスターはモハメドAtallaおよび1959年にDawon Kahngによって、発明された。MOSFETは使用の広い範囲のために小型化され、大量生産できる最初の偽りなく密集したトランジスターだった。高いスケーラビリティおよび大いに低い電力の消費および高密度によりバイポーラ トランジスタによって、MOSFETは単一ICで高密度集積回路をし、10,000以上のトランジスターの統合を許可する造ることを可能に。

簡単だった操作

トランジスターは別の組のターミナルで大いにより大きい信号を制御するために1組のターミナルの間で加えられる小さい信号を使用できる。この特性は利益と呼ばれる。それはより強い出力信号、電圧を作り出すことができるかまたはより弱い入力信号に比例しているこうして流れ、アンプとして機能でき。また、トランジスターが流れを電気で制御スイッチとして回路でオン/オフ回すのに使用することができる。