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パッシムのタバコ機械予備品
Created with Pixso. 真新しいMK8D Kretekのパッキングの単位はIrfz44nlのトランジスターを転換する

真新しいMK8D Kretekのパッキングの単位はIrfz44nlのトランジスターを転換する

ブランド名: Upperbond
モデル番号: メーカー
MOQ: 2 PC
価格: 交渉可能
配達時間: 5-8日
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
CE, ISO
硬度:
非常に高められる
材料の切断:
フィルター側面
郵送物の港:
広州、上海
材料:
扱われたステンレス鋼
機械モデル:
Protos、Passim、MK8、MK9、
タバコの直径:
5.4mm - 8.0mm
パッケージの詳細:
カートン
供給の能力:
10000 PC/月
ハイライト:

タバコ機械Irfz44nlトランジスター

,

Kretekのパッキング単位のトランジスター

製品説明

真新しいMK8D Kretekのパッキングの単位はIrfz44nlのトランジスターを転換する

トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。

ポイント接触のトランジスター

1948年に、ポイント接触のトランジスターはドイツの物理学者によってハーバートMataréおよびハインリッヒWelker独自にCompagnie des FreinsとSignaux WestinghouseのパリにあったWestinghouseの子会社で働いている間発明された。Mataréに第二次世界大戦の間にドイツのレーダーの努力のケイ素そしてゲルマニウムからの成長の水晶整流器で前の経験があった。この知識を使用して、彼は1947年に「干渉」の現象を研究し始めた。

材料

ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。

絶対最高評価

変数 最高。 単位
ID @ Tq = 25°C 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V 49
lD @ Tc = 100°C 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V 35
Idm 脈打った下水管の流れ① 160
PDの@Ta = 25°C 電力損失 3.8 W
PD @TC = 25°C 電力損失 94 W
線形軽減の要因 0.63 With°C
Vgs ゲートに源の電圧 ±20 V
Iar なだれの流れ① 25
反復的ななだれEnergy® 9.4 mJ
dv/dt ピーク ダイオードの回復dv/dt③ 5.0 V/ns
Tj 作動の接続点 -55に+ 175 °C

真新しいMK8D Kretekのパッキングの単位はIrfz44nlのトランジスターを転換する 0

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ブランド名: Upperbond
モデル番号: メーカー
MOQ: 2 PC
価格: 交渉可能
パッケージの詳細: カートン
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Upperbond
証明:
CE, ISO
モデル番号:
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硬度:
非常に高められる
材料の切断:
フィルター側面
郵送物の港:
広州、上海
材料:
扱われたステンレス鋼
機械モデル:
Protos、Passim、MK8、MK9、
タバコの直径:
5.4mm - 8.0mm
最小注文数量:
2 PC
価格:
交渉可能
パッケージの詳細:
カートン
受渡し時間:
5-8日
支払条件:
T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal
供給の能力:
10000 PC/月
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真新しいMK8D Kretekのパッキングの単位はIrfz44nlのトランジスターを転換する

トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。

ポイント接触のトランジスター

1948年に、ポイント接触のトランジスターはドイツの物理学者によってハーバートMataréおよびハインリッヒWelker独自にCompagnie des FreinsとSignaux WestinghouseのパリにあったWestinghouseの子会社で働いている間発明された。Mataréに第二次世界大戦の間にドイツのレーダーの努力のケイ素そしてゲルマニウムからの成長の水晶整流器で前の経験があった。この知識を使用して、彼は1947年に「干渉」の現象を研究し始めた。

材料

ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。

絶対最高評価

変数 最高。 単位
ID @ Tq = 25°C 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V 49
lD @ Tc = 100°C 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V 35
Idm 脈打った下水管の流れ① 160
PDの@Ta = 25°C 電力損失 3.8 W
PD @TC = 25°C 電力損失 94 W
線形軽減の要因 0.63 With°C
Vgs ゲートに源の電圧 ±20 V
Iar なだれの流れ① 25
反復的ななだれEnergy® 9.4 mJ
dv/dt ピーク ダイオードの回復dv/dt③ 5.0 V/ns
Tj 作動の接続点 -55に+ 175 °C

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