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|
| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2個 |
| 価格: | 交渉可能 |
| 配達時間: | 5-8日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
トランジスター
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
特徴
•高度の加工技術
•表面の台紙（IRFZ44NS）
•控えめなによ穴（IRFZ44NL）
•175°C実用温度
•速い切換え
•評価される十分になだれ
•無鉛
IRFZ44NS/LPbF
| 変数 | Min. | |
| V （BR） DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V （BR） DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
| RDS （） | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
| gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
| bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
| ゲートに源の逆の漏出 | — | |
| Qg | 総ゲート充満 | — |
| Qgs | ゲートに源充満 | — |
| Qgd | ゲートに下水管（「ミラー」）充満 | — |
| td （） | Turn-On遅れ時間 | — |
| tr | 上昇時間 | — |
| td （） | Turn-Off遅れ時間 | — |
| tf | 落下時間 | — |
| Ls | 内部源インダクタンス | — |
| Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
| Coss | 出力キャパシタンス | — |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
| Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |
材料
ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。
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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2個 |
| 価格: | 交渉可能 |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal |
トランジスター
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
特徴
•高度の加工技術
•表面の台紙（IRFZ44NS）
•控えめなによ穴（IRFZ44NL）
•175°C実用温度
•速い切換え
•評価される十分になだれ
•無鉛
IRFZ44NS/LPbF
| 変数 | Min. | |
| V （BR） DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V （BR） DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
| RDS （） | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
| gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
| bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
| ゲートに源の逆の漏出 | — | |
| Qg | 総ゲート充満 | — |
| Qgs | ゲートに源充満 | — |
| Qgd | ゲートに下水管（「ミラー」）充満 | — |
| td （） | Turn-On遅れ時間 | — |
| tr | 上昇時間 | — |
| td （） | Turn-Off遅れ時間 | — |
| tf | 落下時間 | — |
| Ls | 内部源インダクタンス | — |
| Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
| Coss | 出力キャパシタンス | — |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
| Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |
材料
ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。
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