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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| 配達時間: | 5-8日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal |
Sasib 3000のナノの十分になだれの評価されるKretekの機械類のトランジスター
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
1. 大量生産
50年代では、モハメドAtalla電気が次行なうケイ素に確実に突き通ることができるのはエジプト エンジニアは彼が半導体デバイスの製作の新しい方法を提案した塗る鐘の実験室でケイ素の半導体の表面の特性を調査した、電気は半導体層に達することを防いだ表面州を克服するケイ素酸化物の絶縁層によってシリコンの薄片に。これは表面不動態化、ケイ素の集積回路のそれとして半導体工業に重大に後で可能にした大量生産をなった方法として知られている。
2. MOSFET
金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター（MOSFET）、別名MOSのトランジスターはモハメドAtallaおよび1959年にDawon Kahngによって、発明された。MOSFETは使用の広い範囲のために小型化され、大量生産できる最初の偽りなく密集したトランジスターだった。高いスケーラビリティおよび大いに低い電力の消費および高密度によりバイポーラ トランジスタによって、MOSFETは単一ICで高密度集積回路をし、10,000以上のトランジスターの統合を許可する造ることを可能に。
3. CMOS
CMOS （補足MOS）は1963年にフェアチャイルドの半導体のChih独特の味SahおよびフランクWanlassによって発明された。浮かべゲートMOSFETの最初のレポートはDawon Kahngおよび1967年にサイモンSzeによってなされた。二重ゲートMOSFETは電気工学の実験室の研究者によってToshihiro SekigawaおよびYutaka Hayashi 1984年に最初に示された
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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 2 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal |
Sasib 3000のナノの十分になだれの評価されるKretekの機械類のトランジスター
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
1. 大量生産
50年代では、モハメドAtalla電気が次行なうケイ素に確実に突き通ることができるのはエジプト エンジニアは彼が半導体デバイスの製作の新しい方法を提案した塗る鐘の実験室でケイ素の半導体の表面の特性を調査した、電気は半導体層に達することを防いだ表面州を克服するケイ素酸化物の絶縁層によってシリコンの薄片に。これは表面不動態化、ケイ素の集積回路のそれとして半導体工業に重大に後で可能にした大量生産をなった方法として知られている。
2. MOSFET
金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター（MOSFET）、別名MOSのトランジスターはモハメドAtallaおよび1959年にDawon Kahngによって、発明された。MOSFETは使用の広い範囲のために小型化され、大量生産できる最初の偽りなく密集したトランジスターだった。高いスケーラビリティおよび大いに低い電力の消費および高密度によりバイポーラ トランジスタによって、MOSFETは単一ICで高密度集積回路をし、10,000以上のトランジスターの統合を許可する造ることを可能に。
3. CMOS
CMOS （補足MOS）は1963年にフェアチャイルドの半導体のChih独特の味SahおよびフランクWanlassによって発明された。浮かべゲートMOSFETの最初のレポートはDawon Kahngおよび1967年にサイモンSzeによってなされた。二重ゲートMOSFETは電気工学の実験室の研究者によってToshihiro SekigawaおよびYutaka Hayashi 1984年に最初に示された
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