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|
| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 800 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| 配達時間: | 5-8日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal |
真新しいMK8Dは加工技術の紙巻タバコ製造機械のトランジスターを進めた
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
1. IRFZ44NS/LPbF
| 変数 | Min. | |
| V （BR） DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V （BR） DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
| RDS （） | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
| gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
| bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
| ゲートに源の逆の漏出 | — | |
| Qg | 総ゲート充満 | — |
| Qgs | ゲートに源充満 | — |
| Qgd | ゲートに下水管（「ミラー」）充満 | — |
| td （） | Turn-On遅れ時間 | — |
| tr | 上昇時間 | — |
| td （） | Turn-Off遅れ時間 | — |
| tf | 落下時間 | — |
| Ls | 内部源インダクタンス | — |
| Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
| Coss | 出力キャパシタンス | — |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
| Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |
2. メカニズム
電圧か流れは別の組のターミナルによって1組のトランジスターのに端末管理流れを適用した。管理された（出力）力が制御の（入力）より高い場合もあるのでトランジスターは信号を増幅できる。今日、あるトランジスターはそれぞれ包まれるが、多くは集積回路で埋め込まれてある。
3. 材料
ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。
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| ブランド名: | Upperbond |
| モデル番号: | メーカー |
| MOQ: | 800 PC |
| 価格: | 交渉可能 |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal |
真新しいMK8Dは加工技術の紙巻タバコ製造機械のトランジスターを進めた
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
1. IRFZ44NS/LPbF
| 変数 | Min. | |
| V （BR） DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
| △V （BR） DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
| RDS （） | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
| gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
| bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
| — | ||
| 損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
| ゲートに源の逆の漏出 | — | |
| Qg | 総ゲート充満 | — |
| Qgs | ゲートに源充満 | — |
| Qgd | ゲートに下水管（「ミラー」）充満 | — |
| td （） | Turn-On遅れ時間 | — |
| tr | 上昇時間 | — |
| td （） | Turn-Off遅れ時間 | — |
| tf | 落下時間 | — |
| Ls | 内部源インダクタンス | — |
| Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
| Coss | 出力キャパシタンス | — |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
| Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |
2. メカニズム
電圧か流れは別の組のターミナルによって1組のトランジスターのに端末管理流れを適用した。管理された（出力）力が制御の（入力）より高い場合もあるのでトランジスターは信号を増幅できる。今日、あるトランジスターはそれぞれ包まれるが、多くは集積回路で埋め込まれてある。
3. 材料
ほとんどのトランジスターは非常に純粋なケイ素およびゲルマニウムからのいくつかからなされるが、ある特定の他の半導体材料は時々使用される。トランジスターは1種類だけの荷電粒子、field-effectのトランジスターであるかもしれなかったりまたは2種類のバイポーラ トランジスタ装置の電荷キャリアを持つかもしれない。
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