![]() |
ブランド名: | Upperbond |
モデル番号: | メーカー |
MOQ: | 2 PC |
価格: | 交渉可能 |
配達時間: | 5-8日 |
支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal |
IRFZ44NSTRLPBFのトランジスター
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
1. 特徴
•高度の加工技術
•表面の台紙(IRFZ44NS)
•控えめなによ穴(IRFZ44NL)
•175°C実用温度
•速い切換え
•評価される十分になだれ
•無鉛
2. 絶対最高評価
変数 | 最高。 | 単位 | |
ID @ Tq = 25°C | 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | 脈打った下水管の流れ① | 160 | |
PDの@Ta = 25°C | 電力損失 | 3.8 | W |
PD @TC = 25°C | 電力損失 | 94 | W |
線形軽減の要因 | 0.63 | With°C | |
Vgs | ゲートに源の電圧 | ±20 | V |
Iar | なだれの流れ① | 25 | |
耳 | 反復的ななだれEnergy® | 9.4 | mJ |
dv/dt | ピーク ダイオードの回復dv/dt③ | 5.0 | V/ns |
Tj | 作動の接続点 | -55に+ 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
変数 | Min. | |
V (BR) DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
△V (BR) DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
RDS () | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
VGS (Th) | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
— | ||
損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
ゲートに源の逆の漏出 | — | |
Qg | 総ゲート充満 | — |
Qgs | ゲートに源充満 | — |
Qgd | ゲートに下水管(「ミラー」)充満 | — |
td () | Turn-On遅れ時間 | — |
tr | 上昇時間 | — |
td () | Turn-Off遅れ時間 | — |
tf | 落下時間 | — |
Ls | 内部源インダクタンス | — |
Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
Coss | 出力キャパシタンス | — |
Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |
![]() |
ブランド名: | Upperbond |
モデル番号: | メーカー |
MOQ: | 2 PC |
価格: | 交渉可能 |
パッケージの詳細: | カートン |
支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal |
IRFZ44NSTRLPBFのトランジスター
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
1. 特徴
•高度の加工技術
•表面の台紙(IRFZ44NS)
•控えめなによ穴(IRFZ44NL)
•175°C実用温度
•速い切換え
•評価される十分になだれ
•無鉛
2. 絶対最高評価
変数 | 最高。 | 単位 | |
ID @ Tq = 25°C | 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | 連続的な下水管の流れ、Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | 脈打った下水管の流れ① | 160 | |
PDの@Ta = 25°C | 電力損失 | 3.8 | W |
PD @TC = 25°C | 電力損失 | 94 | W |
線形軽減の要因 | 0.63 | With°C | |
Vgs | ゲートに源の電圧 | ±20 | V |
Iar | なだれの流れ① | 25 | |
耳 | 反復的ななだれEnergy® | 9.4 | mJ |
dv/dt | ピーク ダイオードの回復dv/dt③ | 5.0 | V/ns |
Tj | 作動の接続点 | -55に+ 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
変数 | Min. | |
V (BR) DSS | 下水管に源の絶縁破壊電圧 | 55 |
△V (BR) DSSの仏Tj | 絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数 | — |
RDS () | 静的な下水管に源のオン抵抗 | — |
VGS (Th) | ゲートの境界の電圧 | 2.0 |
gts | 前方相互コンダクタンス | 19 |
bss | 下水管に源の漏出流れ | — |
— | ||
損失 | ゲートに源の前方漏出 | — |
ゲートに源の逆の漏出 | — | |
Qg | 総ゲート充満 | — |
Qgs | ゲートに源充満 | — |
Qgd | ゲートに下水管(「ミラー」)充満 | — |
td () | Turn-On遅れ時間 | — |
tr | 上昇時間 | — |
td () | Turn-Off遅れ時間 | — |
tf | 落下時間 | — |
Ls | 内部源インダクタンス | — |
Cjss | 入れられたキャパシタンス | — |
Coss | 出力キャパシタンス | — |
Crss | 逆の移動キャパシタンス | — |
Eas | 単一の脈拍のなだれEnergy® | — |