Hauni ProtosのKretek機械のためのナノのによ穴版Mosfet Irfz44ns

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ケイ素のトランジスター

最初の働くケイ素のトランジスターはMorris Tanenbaumによって1954年1月26日に鐘の実験室で、発達した。最初の商業ケイ素のトランジスターは1954年にテキサス・インスツルメントによって作り出された。これはゴードンの小ガモの仕事、鐘の実験室で前の仕事高い純度の成長の水晶の専門家だった。

高周波トランジスター

最初の高周波トランジスターは1953年にPhilcoによって発達した表面障壁のゲルマニウムのトランジスター60までのMHzを作動させることができるだった。これらはインジウムのジェット機が付いている両側からnタイプのゲルマニウムの基盤に不況のエッチングによってそれが厚のインチの少数のten-thousandthsだったまでなされた（III）硫酸塩。インジウムは不況に形作ったコレクターおよびエミッターを電気めっきした。

ポイント接触のトランジスター

1948年に、ポイント接触のトランジスターはドイツの物理学者によってハーバートMataréおよびハインリッヒWelker独自にCompagnie des FreinsとSignaux WestinghouseのパリにあったWestinghouseの子会社で働いている間発明された。Mataréに第二次世界大戦の間にドイツのレーダーの努力のケイ素そしてゲルマニウムからの成長の水晶整流器で前の経験があった。この知識を使用して、彼は1947年に「干渉」の現象を研究し始めた。